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GT推HVPE系统加速磊晶生长资本支出可望减少25%

文章来源: lol外围app发布时间:2021-10-12 00:22
本文摘要:LED价格下降趋势恒定,LED晶片厂大大在制程与技术方面展开提高以降低成本,半导体设备厂极特先进科技(GTADVANCEDTECHNOLOGIES)研发代替MOCVD中nGaN和uGaN生长制程的HVPE系统,未来LED晶片厂可以利用减少HVPE系统的方式加快磊晶生长,相比以购置MOCVD方式扩充生产能力,相结合HVPE系统扩充生产能力有望为LED晶片厂最低省下25%的资本开支。

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LED价格下降趋势恒定,LED晶片厂大大在制程与技术方面展开提高以降低成本,半导体设备厂极特先进科技(GTADVANCEDTECHNOLOGIES)研发代替MOCVD中nGaN和uGaN生长制程的HVPE系统,未来LED晶片厂可以利用减少HVPE系统的方式加快磊晶生长,相比以购置MOCVD方式扩充生产能力,相结合HVPE系统扩充生产能力有望为LED晶片厂最低省下25%的资本开支。  GT已在2013年5月公开发表利用SoitecPhoenixLabs(Soitec旗下子公司)独家享有的HVPE专利技术,HVPE技术的特点是生长速率慢,需要以较低的成本较慢生长nGaN和uGaN,HVPE所用的前驱体(GaCl3)也比MOCVD所必须用的前驱体TMG,低廉10倍,再加HVPE系统在nGaN和uGaN的生产量速度较MOCVD慢,因此,LED晶片厂未来可以利用减少HVPE系统方式扩充生产能力。

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